4H-SiC Trench MOSFETs による短チャネル効果の抑制効果 von 石井, 友康, 黒木, 伸一郎, 瀬崎, 洋, 石川, 誠治, 前田, 智徳, 牧野, 高紘, 大島, 武, Mikael, Ostling, Carl-Mikael, Zetterling

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Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善 von 村岡, 幸輔, 瀬崎, 洋, 石川, 誠治, 前田, 智徳, 吉川, 公麿, 黒木, 伸一郎

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PE58. 認知症看護におけるシミュレーションを用いた看護教育に関する文献レビュー von 山本美輪, 三好陽子, 吉村純子, 松井幸子, 櫻井祐輔, 前田智徳

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アルカリ土類金属によるSi及び4H-SiCの増殖酸化 von 村岡, 幸輔, 瀬崎, 洋, 石川, 誠治, 前田, 智徳, 吉川, 公麿, 黒木, 伸一郎

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Improvements of 4H-SiC MOS interface with barium von Muraoka, Kousuke, Sezaki, Hiroshi, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Kikkawa, Takamaro, Kuroki, Shin-Ichiro

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Enhanced-oxidation of Si and 4H-SiC using Alkaline earth metal von Muraoka, Kousuke, Sezaki, Hiroshi, Ishikawa, Seiji, Maeda, Tomonori, Kikkawa, Takamaro, Kuroki, Shin-Ichiro

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