S22-62 栽培条件がチャのセシウム吸収に及ぼす影響(S22.放射性セシウムの永年性作物への移行,22.環境保全,2012年度鳥取大会) von 一家, 崇志, 前田, 康貴, 仁科, 芳文, 森田, 明雄

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19-22 クエン酸含有固形資材の施用が茶樹のリン酸吸収に及ぼす影響(19.肥料および施肥法) von 仁科, 芳文, 前田, 康貴, 一家, 崇志, 小杉, 徹, 高橋, 和彦, 森田, 明雄

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窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御型ペンタセンPseudo-CMOSの低電圧動作 von 前田, 康貴, 朴, 鏡恩, 小松, 勇貴, 大見, 俊一郎

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ペンタセン薄膜形成に対する窒素添加LaB6電極パターニングの影響 von 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性 von 前田, 康貴, 朴, 鏡恩, 小松, 勇貴, 大見, 俊一郎

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非晶質ルブレンゲート絶縁膜を用いたデュアルゲート型ペンタセンOFET von 廣木, 瑞葉, 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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PFP薄膜を用いたn型OFETにおける窒素添加LaB6界面制御層の効果 von 前田, 康貴, 廣木, 瑞葉, 大見, 俊一郎

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ペンタセンOFETのデバイス特性における窒素添加LaB6界面制御層厚依存性 von 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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窒素添加LaB6界面制御層を用いたペンタセンPseudo-CMOS von 前田, 康貴, 廣木, 瑞葉, 小松, 勇貴, 大見, 俊一郎

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リフトオフによる微細S/D電極形成とOFETのデバイス特性 von 廣木, 瑞葉, 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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強誘電体クロコン酸薄膜のYb界面制御層上への形成 von 張, 鴻立, 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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非晶質ルブレンをゲート絶縁膜として用いたトップゲート型ペンタセンOFETの作製 von 廣木, 瑞葉, Atthi, Nithi, 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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ハイリスク妊娠・新生児におけるサイトメガロウイルス感染の検討 von 丸山, 有子, 茨, 聡, 浅野, 仁, 丸山, 英樹, 山本, 文子, 前田, 隆嗣, 中村, 俊昭, 河野, 哲志, 蔵屋, 一枝, 松田, 義雄, 上塘, 正人, 柚原, 尚樹, 前田, 康貴, 伊藤, 正信, 大西, 義孝, 松田, 和洋, 波多江, 正紀, 栄鶴, 義人, 中西, 直美, 伊地知, 修, 池ノ上, 克, 金子, 政時, 児玉, 由紀

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AuGeソース/ドレイン電極を用いたボトムコンタクト型ペンタセンOFETの作製 von 廣木, 瑞葉, 前田, 康貴, 大見, 俊一郎

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プラズマアクチュエータによる輸送機器の空力特性改善: 剥離抑制に適した流速領域の検討 von 白岩, 寛之, 新田, 真史, 前田, 康貴, 藤川, 俊秀

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窒素添加LaB6界面層によるp型ペンタセンOFETの界面制御 von 前田, 康貴, 大見, 俊一郎, 後藤, 哲也, 大見, 忠弘

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窒素添加LaB6薄膜上に形成したペンタセン薄膜の堆積レート依存性 von 前田, 康貴, 大見, 俊一郎, 後藤, 哲也, 大見, 忠弘

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窒素添加LaB6薄膜上に形成したペンタセン薄膜の堆積温度依存性 von 前田, 康貴, 大見, 俊一郎, 後藤, 哲也, 大戸, 達彦

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窒素添加LaB6界面層によるペンタセンのn型特性に関する検討 von 前田, 康貴, 湯澤, 康介, 大見, 俊一郎, 後藤, 哲也, 大見, 忠弘

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臍帯動脈血液ガス所見よりみた妊娠中期における分娩前管理の評価 von 松田, 義雄, 河野, 哲志, 上塘, 正人, 柚原, 尚樹, 伊藤, 正信, 前田, 康貴, 山本, 文子, 中村, 俊昭, 松田, 和洋, 大西, 義孝, 川辺, 幹生, 波多江, 正紀, 蔵屋, 一枝, 茨, 聡, 丸山, 有子, 丸山, 英樹, 浅野, 仁, 内田, 洋人, 末吉, 和宣, 寛山, 佳史, 池ノ上, 克

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