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    CMOS互換プロセスを用いた横型薄膜Si-PIN光検出器の10 GHz超応答

    CMOS互換プロセスを用いた横型薄膜Si-PIN光検出器の10 GHz超応答 von 李, 根, 前北, 和晃, 丸山, 武男, 飯山, 宏一


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    CMOS互換プロセスを用いた薄膜PIN型Si光検出器のsub-10 GHz応答

    CMOS互換プロセスを用いた薄膜PIN型Si光検出器のsub-10 GHz応答 von 李, 根, 前北, 和晃, 丸山, 武男, 飯山, 宏一


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    GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答

    GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 von 前北, 和晃, 丸山, 武男, 飯山, 宏一, 鈴木, 寿一


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    0.35μmBiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価

    0.35μmBiCMOSプロセスによるSi-APDの特性評価 von 前北, 和晃, 乙坂, 英志, 霜鳥, 敏之, 丸山, 武男, 飯山, 宏一


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