実空間密度汎関数法によるSiC表面ステップの構造と安定性の解明 von 制野, かおり, 押山, 淳

Volltext

女性研究者の海外でのライフワークバランス＠ドイツ von 制野, かおり

Volltext

第一原理計算によるSiC表面のステップモロフォジーの検討 von 制野, かおり, 押山, 淳

Volltext

GaAs(100)表面上の原子の拡散過程の第一原理計算 von 制野, かおり, 石井, 晃

Volltext

第一原理計算によるGe(001)表面のAg原子吸着構造の解析とSTMシミュレーション von 制野, かおり, 石井, 晃

Volltext

22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 大竹, 晃浩, 制野, かおり, 小口, 信行

Volltext

22aT-6 第一原理計算によるGe(001)表面上のAg初期吸着構造の研究 von 制野, かおり, 石井, 晃

Volltext

GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長下のGa終端ドメインでのAs原子のmigration : 成長界面III von 石井, 晃, 制野, かおり, 逢坂, 豪

Volltext

GaAs(001)表面ホモエピタキシャル成長におけるAs_2分子の振る舞いの第一原理計算 : 成長界面III von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

23pWA-12 GaAs(100)表面上におけるAS_2分子の表面ダイナミクスの第一原理計算 von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

30aPS-14 四面体要素を用いた有限要素法による第一原理計算法 von 三宅, 大助, 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

19pPSA-11 2次元要素自動分割法を用いた有限要素法によるシュレディンガー方程式の精度検証 von 三宅, 大助, 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

26aPS-53 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算II von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

30p-S-13 Ga終端GaAs(100)表面におけるAs原子のダイナミクスの第一原理計算 von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

27a-PS-51 第一原理計算によるSi(001)表面上の水素対の拡散の研究 von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext

31a-PS-42 GaAs(100)表面のAs原子の拡散バリアエネルギーの第一原理計算 von 制野, かおり, 石井, 晃, 逢坂, 豪

Volltext