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0.15-μm T-gate In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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A W-band two-stage cascode amplifier with gain of 25.7 dB
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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On-wafer de-embedding techniques from 0.1 to 110 GHz
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A full W-band low noise amplifier module for millimeter-wave applications
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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A novel hybrid III-V/silicon deformed micro-disk single-mode laser
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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High performance oscillator with 2-mW output power at 300 GHz
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Optimization of ohmic contact for InP-based transferred electronic devices
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode
Veröffentlicht in Chinese physics B
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A 10 Gsps 8 bit digital-to-analog converter with a built-in self-test circuit
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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