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    Temperature dependent interfacial and electrical characteristics during atomic layer deposition and annealing of HfO2 films in p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors

    Temperature dependent interfacial and electrical characteristics during atomic layer deposition and annealing of HfO2 films in p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors von 刘琛 张玉明 张义门 吕红亮 芦宾

    Veröffentlicht in 半导体学报：英文版

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