Variation of efficiency droop with quantum well thickness in In GaN/GaN green light-emitting diode von 刘炜 赵德刚 江德生 陈平 刘宗顺 朱建军 李翔 梁锋 刘建平 杨辉

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Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials von 杨静 赵德刚 江德生 陈平 刘宗顺 朱建军 李翔 刘炜 梁锋 张立群 杨辉 王文杰 李沫

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Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths von 李翔 赵德刚 江德生 杨静 陈平 刘宗顺 朱建军 刘炜 何晓光 李晓静 梁锋 刘建平 张立群 杨辉 张源涛 杜国同 龙衡 李沫

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Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths von 李翔 赵德刚 江德生 杨静 陈平 刘宗顺 朱建军 刘炜 何晓光 李晓静 梁锋 刘建平 张立群 杨辉 张源涛 杜国同 龙衡 李沫

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Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC von 梁锋 陈平 赵德刚 江德生 赵志娟 刘宗顺 朱建军 杨静 刘炜 何晓光 李晓静 李翔 刘双韬 杨辉 张立群 刘建平 张源涛 杜国同

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