Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors von 吕元杰 冯志红 蔡树军 敦少博 刘波 尹甲运 张雄文 房玉龙 林兆军 孟令国 栾崇彪

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Unstrained InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD von 刘波 尹甲运 吕元杰 敦少博 张雄文 冯志红 蔡树军

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