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AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Resistive switching characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM device
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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Escape of Particles from an Open Square-Shaped Cavity
Veröffentlicht in Communications in theoretical physics
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An improved method of energy calibration for position-sensitive silicon detectors
Veröffentlicht in Chinese physics C
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Improvement the Electrochemical Performance of Lil.2Ni0.2Mn0.602 Electrode with A1F3 Added
Veröffentlicht in 上海交通大学学报:英文版
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