MBEによる超格子結晶成長 von 冷水, 佐寿

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30p-F-1 MBEによる選択ドープしたヘテロ構造の電気的性質 von 冷水, 佐寿, 三村, 高志

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13a-K-5 有限温度でのMnPの磁化過程 von 冷水, 佐寿, 永宮, 健夫

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28p-G-2 整数量子ホール効果状態のbreakdown現象 : 試料依存性(半導体(量子ホール効果,超格子)) von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II von 平井, 宏, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響 von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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30a-LD-4 整数量子ホール効果の温度依存性(半導体) von 中山, 雅弘, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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30a-LD-5 量子ホール効果に対する不均一電場の影響(半導体) von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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30p-FB-11 共鳴トンネリング・ホット・エレクトロン・トランジスタ(RHET)の物理(半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))... von 武藤, 俊一, 今村, 健一, 佐々, 誠彦, 横山, 直樹, 冷水, 佐寿

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30a-FC-3 強磁場下の二次元電流不安定性(半導体(表面・界面・超格子・MOS)) von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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1p-D2-2 量子ホール効果に対する有限電場の効果III(半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体)) von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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22a-H-9 強磁性半導体CdCr_2Se_4の電気伝導 von 藤井, 俊夫, 冷水, 佐寿, 小谷, 健

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3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I von 高増, 正, 小宮山, 進, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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1a-KH-8 Al_xGa_<1-x>As/GaAsヘテロ接合FET、2次元電子系のサイクロトロン共鳴IV von 森, 茂, 室, 清文, 成田, 信一郎, 南部, 和夫, 冷水, 佐寿

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3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II von 小宮山, 進, 高増, 正, 冷水, 佐寿, 佐々, 誠彦

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29p-N-8 GaAs/AlGaAs界面の2次元電子輸送 von 井上, 正崇, 稲山, 実, 犬石, 嘉雄, 冷水, 佐寿

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13p-E-4 Al_xGa_<1-x> As/GaAsヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 III von 森, 茂, 室, 清文, 成田, 信一郎, 南部, 和夫, 冷水, 佐寿

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MnPの磁化過程 : 磁性(理論・金属間化合物) von 冷水, 佐寿, 寺倉, 清之, 永宮, 健夫

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1a-F-1 GaAs/AlGaAs界面中の2次元電子輸送 von 井上, 正崇, 稲山, 実, 犬石, 嘉雄, 冷水, 佐寿

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