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    Characteristics and analysis of 4H-SiC PiN diodes with a carbon-implanted drift layer

    Characteristics and analysis of 4H-SiC PiN diodes with a carbon-implanted drift layer von 冯江梅 申华军 马晓华 白云 吴佳 李诚瞻 刘可安 刘新宇

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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