順電流注入によるp-GaN 層中のホールトラップの生成 von 吉田, 光, 竹内, 和歌奈, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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水素イオン注入n+pGaNのo.88 eV正孔トラップに対する順電流通電効果 von 徳田, 豊, 吉田, 光, 冨田, 一義, 加地, 徹, 伊藤, 成志, 八木, 孝秀

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AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析 von 成田, 哲生, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 堀田, 昌宏, 菊田, 大悟

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GaNエピ層キャリア再結合の遅い成分の電気的特性への寄与 von 前田, 卓人, 浅田, 貴斗, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 成田, 哲生, 加地, 徹, 加藤, 正史

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長時間熱処理されたMOVPE p-GaNの順バイアスDLTS測定 von 吉田, 光, 竹内, 和歌奈, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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Heイオン注入によりMOVPE成長p-GaNに生成されたトラップ評価 von 徳田, 豊, 吉田, 光, 冨田, 一義, 加地, 徹, 伊藤, 成志, 八木, 孝秀

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高温熱処理されたMOVPE p-GaNの浅い準位の評価 von 吉田, 光, 寺部, 知世, 安井, 裕喜, 竹内, 和歌奈, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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GaN基板上MOVPE p-GaNのHd (Ev+0.88 eV)トラップ濃度面内分布 von 吉田, 光, 竹内, 和歌奈, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存 von 加藤, 正史, 浅田, 貴斗, 朱, 帥, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 成田, 哲生, 加地, 徹

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2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn 型GaN 成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法 von 鐘ヶ江, 一孝, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹, 堀田, 昌宏, 木本, 恒暢, 須田, 淳

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GaN基板上MOVPE p-GaNの浅い準位の評価 von 吉田, 光, 小木曽, 達也, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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異なる気相成長法によるGaN基板上n-GaN中トラップの比較 von 伊藤, 俊, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 木村, 大至, 中村, 大輔, 冨田, 一義, 加地, 徹

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GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較 von 朱, 帥, 浅田, 貴斗, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 成田, 哲生, 加地, 徹, 加藤, 正史

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GaN基板上MOVPE p-GaNの炭素関連トラップ von 小木曽, 達也, 吉田, 光, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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p-GaNピラミッド型反転領域へのMg偏析の原子分解能電子顕微鏡観察 von 岩田, 研治, 成田, 哲生, 長尾, 全寛, 冨田, 一義, 片岡, 恵太, 加地, 徹, 五十嵐, 信行

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GaN へのMg 添加技術の最近の発展 von 成田, 哲生, 冨田, 一義, 徳田, 豊, 小木曽, 達也, 五十嵐, 信行, 菊田, 大悟, 堀田, 昌宏, 加地, 徹

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n 型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価 von 鐘ヶ江, 一孝, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹, 堀田, 昌宏, 木本, 恒暢, 須田, 淳

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GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析 von 加藤, 正史, 浅田, 貴斗, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 成田, 哲生, 加地, 徹

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低周波容量DLTS測定によるMOCVD p-GaNのトラップ評価 von 小木曽, 達也, 徳田, 豊, 成田, 哲生, 冨田, 一義, 加地, 徹

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GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰 von 浅田, 貴斗, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 成田, 哲生, 加地, 徹, 加藤, 正史

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