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GaN(000\overline{1})面上に形成したSiO2/GaN MOSキャパシタの電気特性評価
von
冨ケ原, 一樹
,
和田, 悠平
,
溝端, 秀聡
,
野崎, 幹人
,
吉越, 章隆
,
細井, 卓治
,
志村, 考功
,
渡部, 平司
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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