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    ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討

    ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 von 六野, 祥平, 堀田, 昌宏, 須田, 淳


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    横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討

    横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討 von 六野, 祥平, 坂尾, 佳祐, 堀田, 昌宏, 須田, 淳


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