イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製 : 高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み(<特集>ダイヤモンド成長)... von 澤邊, 厚仁, 安藤, 豊, 鈴木, 一博, 児玉, 英之, 桑原, 潤史, 前田, 真太郎, 鎌野, 崇, 市原, 幸雄, 鷲山, 瞬, 篠崎, 元太, 木村, 清貴

Volltext

ダイヤモンドライクカーボン膜の実用化－現状と展望 von 児玉, 英之, 鈴木, 哲也

Volltext

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス応用 von 澤邊, 厚仁, 児玉, 英之, 鷲山, 瞬, 日高, 正洋, 阿部, 諭, 市原, 幸雄, 古滝, 敏郎, 小山, 浩司, 大山, 幸希, 石垣, 哲孝, 王, 宏興, 武藤, 勝彦, 河野, 省三

Volltext

交差点を取り除いた格子状核発生領域を用いた反りのない高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製 von 海老澤, 芽依, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド下地を用いたホウ素添加ダイヤモンド成長および電気化学測定 von 伊藤, 誠人, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

格子状核発生領域から成長させたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜中の欠陥形成における設計方位依存性 von 市川, 公善, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

Ir(111)/α-Al2O3(0001)上グラフェン成長における炭素固溶制御 von 籾山, 佳貴, 尾松, 佑樹, 櫻井, 篤, 仁木, 雅也, 児玉, 英之, 渡辺, 剛志, 澤邊, 厚仁, 黄, 晋二

Volltext

Ir(111)/α-Al2O3(0001)上グラフェンの常圧CVD 成長 von 尾松, 佑樹, 籾山, 佳貴, 櫻井, 篤, 仁木, 雅也, 児玉, 英之, 渡辺, 剛志, 澤邊, 厚仁, 黄, 晋二

Volltext

α-Al2O3(0001)上に高基板温度で成膜したIr(111)を下地としたエピタキシャルダイヤモンドの作製 von 北嵜, 仁, 児玉, 英之, 金, 聖祐, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 von 市川, 公善, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

高基板温度で成膜したIrを下地としたエピタキシャルダイヤモンドの作製と評価 von 古場, 優樹, 児玉, 英之, 藤居, 大穀, 金, 聖祐, 會田, 英雄, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

微小放電源をイグナイターとしたダイヤモンド核発生処理装置の構築 von 村山, 博亮, 児玉, 英之, 藤居, 大毅, 金, 聖祐, 曾田, 英雄, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

α-Al2O3(0001)上エピタキシャルIr薄膜の高基板温度化による結晶性向上 von 北嵜, 仁, 古場, 優樹, 市川, 公善, 児玉, 英之, 金, 聖祐, 曾田, 英雄, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

Ir(111)/α-Al2O3(0001)基板上グラフェンのエピタキシャル成長および電気化学的転写 von 齋藤, 祐太, 籾山, 佳貴, 児玉, 英之, 澤邊, 厚仁, 黄, 晋二

Volltext

水素終端ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ von 河野, 省三, 寺地, 徳之, 竹内, 大輔, 小倉, 政彦, 児玉, 英之, 澤邊, 厚仁

Volltext

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド下地を用いたホウ素添加ダイヤモンド成長および電気化学測定 von 伊藤, 誠人, 児玉, 英之, 渡辺, 剛志, 栄長, 泰明, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

電子線誘起電流(EBIC)法によるダイヤモンドの欠陥位置の視覚化 von 河野, 省三, 寺地, 徳之, 児玉, 英之, 澤邊, 厚仁

Volltext

格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 von 市川, 公善, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext

CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム： 表面直下の下向きバンド曲がりの再確認 von 河野, 省三, 竹内, 大輔, 児玉, 英之, 澤邊, 厚仁

Volltext

ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における結晶面制御と欠陥伝搬 von 市川, 公善, 児玉, 英之, 鈴木, 一博, 澤邊, 厚仁

Volltext