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A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Observation of multi-Raman gain resonances in rubidium vapor
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Scheduling for Uncertain Data Broadcast in Mobile Networks
Veröffentlicht in Journal of Southwest Jiaotong University
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Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs
Veröffentlicht in Chinese physics B
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LINKAGE DISEQUILIBRIUM OF HLA-Dw4, Dw10 WITH DR9 IN A SHANGHAI CHINESE POPULATION
Veröffentlicht in 中国科学通报:英文版
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