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Photoresponse and trap characteristics of transparent AZO-gated AlGaN/GaN HEMT
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Breakdown voltage and current collapse of F-plasma treated AIGaN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in 半导体学报:英文版
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Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with transparent gates by Al-doped ZnO
Veröffentlicht in Chinese physics B
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