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    High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate

    High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate von 何泽召 杨克武 蔚翠 刘庆彬 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 蔡树军

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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