InP上に成長した高歪InAs/InGaAs量子井戸の時間分解中赤外フォトルミネッセンス測定 von 角倉, 久史, 佐藤, 具就, 新家, 昭彦, 納富, 雅也

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Siプラットフォーム上O帯メンブレンInGaAlAs電界吸収型変調器 von 開, 達郎, 相原, 卓磨, 前田, 圭穂, 藤井, 拓郎, 佐藤, 具就, 土澤, 泰, 硴塚, 孝明, 髙畑, 清人, 松尾, 慎治

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InP薄膜への選択成長によるSi基板上多波長薄膜レーザアレイの作製 von 藤井, 拓郎, 佐藤, 具就, Nikolaos-Panteleimon, Diamantopoulos, 武田, 浩司, 鶴谷, 拓磨, 西, 英隆, 土澤, 泰, 松尾, 慎治

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機械学習によるInGaAs/InP量子井戸構造の成長シーケンス最適化 von 中尾, 亮, 若林, 勇希, 大塚, 琢馬, 大塚, 卓哉, 佐藤, 具就, 杉山, 弘樹

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Si(100)ジャスト基板上MOVPE 成長GaAs 層のアンチフェーズドメイン低減 von 中尾, 亮, 佐藤, 具就, 杉山, 弘樹, 松尾, 慎治

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高βフォトニック結晶レーザーの閾値近傍における光子統計 von 武村, 尚友, 滝口, 雅人, 倉持, 栄一, 新家, 昭彦, 佐藤, 具就, 武田, 浩司, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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CH4/H2-RIEによるInP表面における選択的エッチングとポリマーの生成（４）回折格子のアポダイズ化の検討 von 山本, 知生, 佐藤, 具就

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「講演奨励賞受賞記念講演」Siウェハに直接接合したInGaAsP多重量子井戸薄膜の高温環境耐性 von 藤井, 拓郎, 佐藤, 具就, 武田, 浩司, 長谷部, 浩一, 硴塚, 孝明, 松尾, 慎治

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MOVPEによるSiO2/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長 von 藤井, 拓郎, 佐藤, 具就, 武田, 浩司, 長谷部, 浩一, 硴塚, 孝明, 松尾, 慎治

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イオン注入・熱拡散を用いた横方向PN接合DFBレーザの25 Gb/s直接変調 von 長谷部, 浩一, 武田, 浩司, 藤井, 拓郎, 佐藤, 具就, 硴塚, 孝明, 松尾, 慎治

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フォトニック結晶ナノ共振器による全光メモリを利用した光データルーティング型スイッチ von 野崎, 謙悟, 新家, 昭彦, 松尾, 慎治, 佐藤, 具就, 倉持, 栄一, 納富, 雅也

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高Q値埋込ヘテロ構造Ｌ３共振器における極低パワー光双安定動作 von 倉持, 栄一, 野崎, 謙悟, 新家, 昭彦, 谷山, 秀昭, 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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波長サイズ埋込み活性層フォトニック結晶レーザの高出力化 von 佐藤, 具就, 武田, 浩司, 新家, 昭彦, 倉持, 栄一, 納富, 雅也, 長谷部, 浩一, 硴塚, 孝明, 松尾, 慎治

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埋込ヘテロ構造Ｌ3共振器におけるｎＷ級光メモリ動作 von 倉持, 栄一, 野崎, 謙悟, 新家, 昭彦, 谷山, 秀昭, 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶InGaAsナノ光ディテクタの検討(II) 動作帯域の改善 von 野崎, 謙悟, 松尾, 慎治, 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 藤井, 拓郎, 倉持, 栄一, 納富, 雅也

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Si基板上電流注入LEAPレーザの室温連続発振 von 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 藤井, 拓郎, 倉持, 栄一, 納富, 雅也, 長谷部, 浩一, 硴塚, 孝明, 松尾, 慎治

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斜めSOI細線導波路上に配置されたInPフォトニック結晶レーザの小型ハイブリッド設計 von 新家, 昭彦, 野崎, 謙悟, 倉持, 栄一, 硴塚, 孝明, 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 谷山, 秀昭, 長谷部, 浩一, 藤井, 拓郎, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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量子井戸無秩序化を用いて作製したInP系2μm波長帯レーザ von 佐藤, 具就, 布谷, 伸浩, 藤澤, 剛, 松尾, 慎治

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Ln型多点欠陥共振器高Q値設計と実験的最適化 von 倉持, 栄一, 野崎, 謙悟, 新家, 昭彦, 谷山, 秀昭, 武田, 浩司, 佐藤, 具就, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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埋込ヘテロ構造フォトニック結晶中の量子井戸発光増強・抑制効果の構造依存性 von 滝口, 雅人, 角倉, 久史, ダナン, ビロウォスト, 倉持, 栄一, 佐藤, 具就, 武田, 浩司, 松尾, 慎治, 納富, 雅也

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