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    シリコンウェーハ中炭素関連結晶欠陥のパワーデバイス特性への影響

    シリコンウェーハ中炭素関連結晶欠陥のパワーデバイス特性への影響 von 佐々木, 駿, 三次, 伯知, 佐俣, 秀一, 附田, 正則, 大村, 一郎


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    DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定～ウェット処理時の水素挙動

    DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定～ウェット処理時の水素挙動 von 大戸, 貴史, 江里口, 和隆, 三次, 伯知, 佐俣, 秀一


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    電子線照射前処理を用いたSi基板中の微量炭素測定 DLTS/室温PL

    電子線照射前処理を用いたSi基板中の微量炭素測定 DLTS/室温PL von 江里口, 和隆, 三次, 伯知, 佐俣, 秀一


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    SSDによる禁制反射の研究

    SSDによる禁制反射の研究 von 坂, 貴, 佐俣, 秀一, 加藤, 範夫

    Veröffentlicht in 日本結晶学会誌

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    27a-L-8 X線CTR散乱によるSio_2/Si(001)の構造研究II

    27a-L-8 X線CTR散乱によるSio_2/Si(001)の構造研究II von 志村, 考功, 原田, 仁平, 佐俣, 秀一, 松下, 嘉明

    Veröffentlicht in 年会講演予稿集

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