量子殻構造を用いたGaInN系LEDのデバイス特性評価 von 鈴木, 敦志, 村上, ヒデキ, 軒村, 恭平, 竹林, 穣, 佐々井, 耕平, 後藤, 七美, 曽根, 直樹, 上山, 智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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2段階MOVPE法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 von 佐々井, 耕平, 鈴木, 敦志, 澁谷, 弘樹, 栗崎, 湧気, 軒村, 恭平, 竹林, 穣, 飯田, 一喜, 曽根, 直樹, 上山, 智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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ホールパタンニングAl0.03Ga0.97N基板上へのGaNナノワイヤの成長と評価 von 後藤, 七美, Kim, Myunghee, 澁谷, 弘樹, 佐々井, 耕平, 上山, 智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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GaNナノワイヤ上GaInN量子殻の発光波長制御に関する検討 von 後藤, 七美, 佐々井, 耕平, 飯田, 一喜, 曽根, 直樹, 澁谷, 弘樹, Kim, Myunghee, 鈴木, 敦志, 栗崎, 湧気, 軒村, 恭平, 竹林, 穣, 上山, 智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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GaInN系MQS 3D LEDの光学特性と評価 von 軒村, 恭平, Myunghee, Kim, 鈴木, 敦志, 澁谷, 弘樹, 栗崎, 湧気, 佐々井, 耕平, 竹林, 穣, 上山, 智, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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