冷温水槽の汚染に対するオゾン水の安全性と有効性 von 橋本, 圭司, 近藤, 力也, 禾本, 拓也, 山路, 祐生, 島津, 将平, 中尾, 祐基, 今西, 祥, 山口, 遥, 大吉, 真由実, 梶本, 敦哉

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Kinectセンサによる睡眠時無呼吸症候群のスクリーニングシステムの開発研究-脈波抽出に関する基礎的検討 von 五十嵐, 朗, 今西, 祥

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PD-1-2. PCPS中の化学療法が奏功し離脱し得た食道神経内分泌癌の一例 von 今西祥, 近藤力也, 山路祐生, 禾本拓也, 島津将平, 中尾祐基, 大吉真由実, 梶本敦哉, 山口遥, 橋本圭司

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AG-1. 冷温水槽の汚染に対するオゾン水の安全性と有効性 von 橋本圭司, 近藤力也, 山路祐生, 禾本拓也, 島津将平, 中尾祐基, 今西祥, 大吉真由美, 梶本敦哉

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RT-3-5. 淡路医療センターにおける体外循環技術向上の取り組み von 橋本圭司, 山路祐生, 禾本拓也, 島津将平, 中尾祐基, 今西祥

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最大ゲート幅WG = 1 mmを有するALD-Al2O3多結晶ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価 von 荒井, 雅一, 今西, 祥一朗, 久樂, 顕, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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ALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETsの微細化による高周波特性評価 von 荒井, 雅一, 久樂, 顕, 今西, 祥一朗, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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200 nmの絶縁膜Al2O3を有する2DHGダイヤモンドMOSFETsの高周波出力特性@VDS = −70 V von 鈴木, 優紀子, 久樂, 顕, 今西, 祥一朗, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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2DHGダイヤモンドMOSFETsにおける高周波特性の現状; 出力電力密度Pout = 3.8 W/mm@1 GHz von 久樂, 顕, 今西, 祥一朗, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | IDS | > 1 A/mm von 鈴木, 優紀子, 今西, 祥一朗, 久樂, 顕, 堀川, 清貴, 天野, 勝太郎, 岩瀧, 雅幸, 森下, 葵, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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相補型高周波増幅器応用に向けた(111)ダイヤモンドMOSFETsの高周波特性評価 von 久樂, 顕, 今西, 祥一朗, 大井, 信敬, 大久保, 智, 堀川, 清貴, 蔭浦, 泰資, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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出力電力密度3.8 W/mm @1 GHzを有する2DHGダイヤモンドMOSFETs von 久樂, 顕, 今西, 祥一朗, 大井, 信敬, 大久保, 智, 堀川, 清貴, 蔭浦, 泰資, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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高出力化に向けたALD-Al2O3 2DHG ダイヤモンドMOSFETの高電圧動作における高周波特性評価 von 今西, 祥一朗, 大井, 信敬, 工藤, 拓也, 大久保, 智, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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高電界>4×105V/cm下でのALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETの遮断周波数の向上 von 今西, 祥一朗, 大井, 信敬, 工藤, 拓也, 大久保, 智, 堀川, 清貴, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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高距離分解能Time-of-Flight撮像素子による3次元スキャナの開発 von 安富, 啓太, 今西, 祥馬, 臼井, 隆弘, 髙澤, 大志, 香川, 景一郎, 川人, 祥二

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4033 大阪府防災建築街区適地調査について(防災・都市計画・経済,昭和38年度(仙台)大会学術講演要旨集) von 今西, 祥郎, 河野, 靖

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