Cu(111)表面でのフォルメート水素化反応素過程 von 澤樹, 保隆, 今林, 拓海, 武安, 光太郎, 近藤, 剛弘, 藤谷, 忠博, 中村, 潤児

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単結晶Cu表面でのCO2解離吸着ダイナミクス von 今林, 拓海, 茂木, 智泰, 全, 家美, 武安, 光太郎, 近藤, 剛弘, 藤谷, 忠博, 中村, 潤児

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Na フラックスサファイア溶解法において種結晶厚がGaN 結晶反りに与える影響 von 山田, 拓海, 村上, 航介, 中村, 幸介, 今林, 弘毅, 本城, 正智, 垣之内, 啓介, 針宮, 健太, 北村, 智子, 今西, 正幸, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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Naフラックス法におけるサファイア溶解による低反りGaNウエハの作製 von 山田, 拓海, 今西, 正幸, 中村, 幸介, 村上, 航介, 今林, 弘毅, 本城, 正智, 丸山, 美帆子, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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Naフラックス結合成長法におけるc面GaN結晶の低転位化 von 今西, 正幸, 山田, 拓海, 村上, 航介, 本城, 正智, 今林, 弘毅, 松尾, 大輔, 丸山, 美帆子, 今出, 完, 吉村, 政志, 津坂, 佳幸, 松井, 純爾, 森, 勇介

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Naフラックスポイントシード法による半極性GaN単結晶の結晶性向上 von 金, 度勲, 今西, 正幸, 山田, 拓海, 本城, 正智, 村上, 航介, 松尾, 大輔, 今林, 弘毅, 丸山, 美帆子, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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Naフラックス法におけるサファイア溶解を用いたクラックフリー自立GaN基板の作製 von 山田, 拓海, 今西, 正幸, 中村, 幸介, 村上, 航介, 今林, 弘毅, 松尾, 大輔, 本城, 正智, 丸山, 美帆子, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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