析出法によるSiO2上へのグラフェン形成 von 村上, 俊也, 磯林, 厚伸, 井福, 亮太, 松本, 貴士, 梶田, 明広

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金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明 von 井福, 亮太, 長汐, 晃輔, 西村, 知紀, 鳥海, 明

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レジストフリープロセスによるグラフェン電子デバイスの作製 von 井福, 亮太, 森山, 喬史, 長汐, 晃輔, 西村, 知紀, 鳥海, 明

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レジストフリーコンタクト形成プロセスに基づくグラフェン/金属界面の理解 von 長汐, 晃輔, 井福, 亮太, 森山, 喬史, 西村, 知紀, 鳥海, 明

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Graphite/SiO2/Siキャパシタを用いたgraphite界面容量の抽出 von 井福, 亮太, 長汐, 晃輔, 西村, 知紀, 鳥海, 明

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低温熱CVD法による300mmウェハ上への多層グラフェン合成プロセスの開発 von 西出, 大亮, 松本, 貴士, 伊東, 伴, 山崎, 雄一, 片桐, 雅之, 宮崎, 久生, 加賀谷, 宗仁, 井福, 亮太, 和田, 真, 齋藤, 達朗, 北村, 政幸, 渡邉, 勝仁, 佐久間, 尚志, 梶田, 明広, 酒井, 忠司

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グラフェンFETチャネル内におけるディラックポイントの不均一分布と巨視的I-V特性との関係 von 井福, 亮太, 長汐, 晃輔, 西村, 知紀, 喜多, 浩之, 鳥海, 明

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