金属埋め込み量子ドットによる強度飽和領域における高純度単一光子発生 von 中島, 秀朗, 江国, 晋吾, 熊野, 英和, 飯島, 仁史, 井田, 惣太郎, 笹倉, 弘理, 末宗, 幾夫

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剥離層を用いたAg埋め込み半導体ピラー構造の作製と発光特性評価 von 飯島, 仁史, 和田, 雅樹, 中島, 秀朗, 井田, 惣太郎, 小田島, 聡, 熊野, 英和, 西尾, 崇, 松尾, 保孝, 居城, 邦治, 末宗, 幾夫

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金属埋め込み量子ドット-半導体ピラー構造における光子取り出し効率の埋め込み金属依存性 von 井田, 惣太郎, 加藤, 大望, 宮村, 壮太, 中島, 秀朗, 熊野, 英和, 末宗, 幾夫

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金属埋め込み量子ドットピラー構造を用いた単一光子源の解析 von 加藤, 大望, 井田, 惣太郎, 宮村, 壮太, 中島, 秀朗, 熊野, 英和, 末宗, 幾夫

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金属埋め込み量子ドットによる高効率単一光子源の検討 von 中島, 秀朗, 江国, 晋吾, 熊野, 英和, 宮村, 壮太, 加藤, 大望, 井田, 惣太郎, 笹倉, 弘理, 末宗, 幾夫

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剥離層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製 von 飯島, 仁史, 末宗, 幾夫, 西尾, 崇, 宮村, 壮太, 中島, 秀朗, 井田, 惣太郎, 小田島, 聡, 熊野, 英和, 松尾, 保孝, 居城, 邦治

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1.5μm帯単一光子源に向けたナノコーン構造の作製 von 許, 載勲, 赤羽, 浩一, 和田, 雅樹, 笹倉, 弘理, 飯島, 仁史, 井田, 惣太郎, 佐々木, 雅英, 末宗, 幾夫

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AlGaAs犠牲層を用いた金属埋め込み半導体ピラー構造の作製 von 宮村, 壮太, 飯島, 仁史, 定, 昌史, 加藤, 大望, 井田, 惣太郎, 中島, 秀朗, 江國, 晋吾, 熊野, 英和, 末宗, 幾夫

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