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    Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors

    Influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors von 于英霞 林兆军 栾崇彪 吕元杰 冯志红 杨铭 王玉堂

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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    The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

    The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors von 于英霞 林兆军 吕元杰 冯志红 栾崇彪 杨铭 王玉堂

    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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