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    Breakdown voltage model and structure realization of a thin silicon layer with linear variable doping on a silicon on insulator high voltage device with multiple step field plates

    Breakdown voltage model and structure realization of a thin silicon layer with linear variable doping on a silicon on insulator high voltage device with multiple step field plates von 乔明 庄翔 吴丽娟 章文通 温恒娟 张波 李肇基

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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