プラズマ曝露により絶縁膜/Si界面近傍に形成される欠陥構造のアドミタンスモデル解析 von 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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経時的インピーダンス分光解析を用いた逆バイアスストレス印加下の絶縁膜特性劣化過程の解析 von 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析 von 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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In situ electrical monitoring of SiO2/Si structures in low-temperature plasma using impedance spectroscopy von Morozumi, Junki, Goya, Takahiro, Kuyama, Tomohiro, Eriguchi, Koji, Urabe, Keiichiro

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シリコン窒化膜のプラズマ曝露による機械特性変化評価手法の提案 von 郷矢, 崇浩, 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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インピーダンス分光法を用いたプラズマ曝露環境下のプローブ表面状態モニタリング von 両角, 潤樹, 久山, 智弘, 鬼頭, 聖弥, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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プラズマ曝露時の表面状態がSi基板内のプラズマ誘起欠陥分布に与える影響の定量評価 von 久山, 智弘, 涌羅, 奨平, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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コンダクタンス法を用いたSi系絶縁膜に形成されたプラズマ誘起欠陥密度の定量評価 von 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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コンダクタンス法を用いたシリコン窒化膜表面近傍のプラズマ誘起ダメージ構造の解析 von 久山, 智弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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プラズマ曝露によりシリコン窒化膜中に形成された欠陥構造の窒素雰囲気アニールに関する検討 von 久山, 智弘, 吉川, 侑汰, 佐藤, 好弘, 占部, 継一郎, 江利口, 浩二

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Admittance Analysis of Plasma-induced Defects in SiN Films Introduced by Plasma Exposure Using a Distributed Bulk-dielectric Trap Model von Kuyama, Tomohiro, Urabe, Keiichiro, Eriguchi, Koji

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Electrical Analysis of Distributions of Defects in Si Substrates Introduced by Plasma Exposure Under Various Surface Conditions von Kuyama, Tomohiro, Yura, Shohei, Urabe, Keiichiro, Eriguchi, Koji

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