YSZ極薄膜の高温インピーダンス解析 von 西村, 知紀, 小島, 俊哉, 長汐, 晃輔, 丹羽, 正昭

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日本の産学連携のPros & Cons von 丹羽, 正昭

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SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明 von 佐藤, 創志, 廣井, 佑紀, 山部, 紀久夫, 北畠, 真, 遠藤, 哲郎, 丹羽, 正昭

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SiC熱酸化膜MOSキャパシタの絶縁破壊痕表面における炭素の挙動 von 佐藤, 創志, 廣井, 佑紀, 山部, 紀久夫, 北畠, 真, 遠藤, 哲郎, 丹羽, 正昭

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熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価 von 佐藤, 創志, 廣井, 佑紀, 山部, 紀久夫, 北畠, 真, 遠藤, 哲郎, 丹羽, 正昭

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第一原理計算によるTiO2抵抗変化型メモリの動作機構の研究 von 神谷, 克政, 梁, 文榮, 丹羽, 正昭, 白石, 賢二

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GAA NWチャネルにおける酸化膜中単一トラップ電荷の影響調査：EMC/MDシミュレーションによる解析 von 神岡, 武文, 今井, 裕也, 鎌倉, 良成, 大毛利, 健治, 白石, 賢二, 丹羽, 正昭, 山田, 啓作, 渡邉, 孝信

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非対称チャネルにおけるキャリア輸送のEMC/MDシミュレーション(II) von 今井, 裕也, 神岡, 武文, 鎌倉, 良成, 大毛利, 健治, 白石, 賢二, 丹羽, 正昭, 山田, 啓作, 渡邉, 孝信

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非対称チャネルにおけるキャリア輸送のEMC/MDシミュレーション von 今井, 裕也, 神岡, 武文, 鎌倉, 良成, 大毛利, 健治, 白石, 賢二, 丹羽, 正昭, 山田, 啓作, 渡邉, 孝信

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サブナノ秒領域におけるナノデバイスの電流揺らぎ：EMC/MDシミュレーションによる解析 von 神岡, 武文, 今井, 裕也, 鎌倉, 良成, 大毛利, 健治, 白石, 賢二, 丹羽, 正昭, 山田, 啓作, 渡邉, 孝信

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超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成 von 丹羽, 正昭

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Uniaxial and biaxial strain field dependence of the thermal oxidation rate of silicon von Noma, Hirokazu, Takahashi, Hiroyuki, Fujioka, Hiroshi, Oshima, Masahara, Baba, Yuji, Hirose, Kazuyuki, Niwa, Masaaki, Usuda, Koji, Hirashita, Norio

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3-19 CdS音響ドメインによる透過光変調機構(一般講演) von 畑, 朋延, 丹羽, 正昭, 波田, 敏雄

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赤外線加熱を用いた試料加熱法 von 丹羽, 正昭, 井戸田, 健

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3-11 非晶質シリコン光導電膜積層型固体撮像素子の耐圧向上 von 矢野, 航作, 青木, 芳孝, 近村, 隆夫, 米田, 忠央, 中山, 光雄, 石河, 大典, 上野, 厚, 丹羽, 正昭, 西尾, 幹夫

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Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar MOSFETs Investigated from the Aspect of Drain-Current Noise

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3. 材料科学への応用: 3.7 Si表面の初期酸化 von 宇田川, 昌治, 丹羽, 正昭, 住田, 勲勇

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Atomically Flat SiO2/Si (001) Interface Formation by UHV Annealing von NIWA, Masaaki

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UHV-STMによるSiO2/Si界面の研究 von 丹羽, 正昭, 岩崎, 裕, 田中, 英行, 住田, 勲勇

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熱処理および表面改質処理を施した生体用Ti-12Cr合金の力学的特性変化 von 丹羽, 謙太郎, 赤堀, 俊和, 新家, 光雄, 服部, 友一, 仲井, 正昭

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