(Zn2-yEuy)(TixSn1-x)O4 (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 0.5)蛍光体の合成と発光特性評価 von 平, 靖之, 三村, 和仙, 中村, 稀星, 中野, 裕美

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Solid-phase epitaxial crystallization of β-Ga2O3 thin film by KrF excimer laser irradiation from backside of NiO (111)-buffered α-Al2O3 (0001) substrate at room temperature von Morita, Hiroyuki, Matsushima, Takumi, Nakamura, Kisho, Kaneko, Kenta, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akifumi, Yoshimoto, Mamoru

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Ga2O3薄膜の室温下レーザー照射固相エピタキシーにおける膜厚や緩衝層の影響 von 森田, 公之, 中村, 稀星, 土嶺, 信男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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原子ステップ型超平坦ポリマー基板上でのフレキシブル酸化物p/n薄膜の作製と特性評価 von 岩佐, 健, 木下, 太一郎, 中村, 稀星, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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原子ステップを有するポリマーシートへの超平坦導電性薄膜の作製 von 山田, 志織, 後藤, 里紗, 木下, 太一郎, 中村, 稀星, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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原子ステップ型ポリマー基板を用いた有機・無機ハイブリッド構造の作製 von 岩佐, 健, 木下, 太一郎, 中村, 稀星, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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周期的NiOナノ構造バッファ上におけるβ-Ga2O3薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシー von 森田, 公之, 中村, 稀星, 土嶺, 信男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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β-Ga2O3薄膜のレーザー励起室温固相エピタキシーに与えるサファイア基板上バッファ層の効果 von 中村, 稀星, 森田, 公之, 土嶺, 信男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御 von 中村, 稀星, 内田, 啓貴, 土嶺, 信男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響 von 中村, 稀星, 内田, 啓貴, 土嶺, 信夫, 小山, 浩司, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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レーザーアニールによる不純物ドープβ-Ga2O3薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化 von 内田, 啓貴, 中村, 稀星, 土嶺, 信男, 小山, 浩司, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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Effect of buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga2O3 thin films by room temperature laser annealing von Nakamura, Kisho, Morita, Hiroyuki, Tsuchimine, Nobuo, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akifumi, Yoshimoto, Mamoru

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Orientation control of β-Ga2O3 epitaxial thin films formed by room-temperature laser annealing von Nakamura, Kisho, Uchida, Hiroki, Tuchimine, Nobuo, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akifumi, Yoshimoto, Mamoru

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