GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果 von KyungPil, NAM, 石田, 崇, Maciej, Matys, 上杉, 勉, 加地, 徹, 須田, 淳

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ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位 von 堀田, 昌宏, 成田, 哲生, 加地, 徹, 上杉, 勉, 須田, 淳

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ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 上田, 博之, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 上田, 博之, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定によるGaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 上田, 博之, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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Franz-Keldysh効果による光電流を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 上田, 博之, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析によるホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 上田, 博之, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の測定 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位のアニール挙動 von 堀田, 昌宏, 成田, 哲生, 加地, 徹, 上杉, 勉, 須田, 淳

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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位 von 堀田, 昌宏, 成田, 哲生, 加地, 徹, 上杉, 勉, 須田, 淳

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GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 兼近, 将一, 上杉, 勉, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響 von 澤田, 直暉, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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過渡容量測定によるホモエピタキシャル成長n型GaNの深い準位密度のウェハ面内マッピング評価 von 堀田, 昌宏, 成田, 哲生, 加地, 徹, 上杉, 勉, 須田, 淳

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ホモエピタキシャル成長n型GaNのホール効果測定 von 澤田, 直暉, 成田, 哲生, 加地, 徹, 上杉, 勉, 須田, 淳

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MCTS法によるMOCVD n-GaNの正孔トラップの解析 von 松村, 俊哉, 柴田, 龍成, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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MOCVD n-GaN の正孔トラップの評価 von 曹, 佳棟, 石川, 健治, 堀, 勝, 松村, 俊哉, 阿比留, 明洋, 小島, 旭, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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MCTS法によるn-GaNショットキダイオードの少数キャリアトラップ評価 von 山田, 悠二郎, 徳田, 豊, 上田, 博之, 上杉, 勉, 加地, 徹

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ICPエッチングn-GaN上にp-GaNを再成長したPN接合の評価 von 山口, 真太朗, 徳田, 豊, 上田, 博之, 上杉, 勉, 加地, 徹

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低温成長AlN, GaN/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaNのDLTS評価 von 柴田, 龍成, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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n-GaN 電子トラップ評価へのショットキ電極作製プロセスの影響 von 松村, 俊哉, 山口, 真太朗, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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