Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition von Miyoshi, Makoto, Yamanaka, Mizuki, Egawa, Takashi, Takeuchi, Tetsuya

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選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価 von 井上, 暁喜, 田中, さくら, 江川, 孝志, 三好, 実人

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AlInN/GaN 多層膜反射鏡における反射率スペクトルの温度依存性 von 長澤, 剛, 上島, 佑介, 稲垣, 徹郎, 柴田, 夏奈, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 三好, 実人

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選択再成長オーミックコンタクトを用いたAlGaNチャネルHFETの作製と特性評価 von 井上, 暁喜, 原田, 紘希, 山中, 瑞樹, 江川, 孝志, 三好, 実人

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転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II von 高橋, 明空, 芝, 南々子, 久保, 俊晴, 三好, 実人, 江川, 孝志

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分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討 von 豊田, 隼大, 村上, 裕人, 宮田, 梨乃, 今井, 大地, 宮嶋, 孝夫, 三好, 実人, 竹内, 哲也

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格子整合系c面AlInN/GaNヘテロ構造のルミネッセンス評価 von 李, リヤン, 嶋, 紘平, 山中, 瑞樹, 小島, 一信, 江川, 孝志, 竹内, 哲也, 三好, 実人, 秩父, 重英

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Improved mobility in InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures with an atomically smooth heterointerface von Hosomi, Daiki, Miyachi, Yuta, Egawa, Takashi, Miyoshi, Makoto

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GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス von 李, リヤン, 嶋, 紘平, 山中, 瑞樹, 小島, 一信, 江川, 孝志, 竹内, 哲也, 三好, 実人, 秩父, 重英

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AlInNエピタキシャル膜へのSiドーピングとその縦方向導電性評価 von 三好, 実人, 中林, 泰希, 山中, 瑞樹, 江川, 孝志, 竹内, 哲也

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転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果 von 小林, 幹, ドルジダウガ, ビルグーン, 高橋, 明空, 久保, 俊晴, 三好, 実人, 江川, 孝志

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c 面GaN 上にエピタキシャル成長した厚膜AlInN 層における混晶組成と微細構造の関係 von 山中, 瑞樹, 三好, 実人, 江川, 孝志, 竹内, 哲也

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In0.2Ga0.8N / GaN MQW 太陽電池における 取り出し効率のバリア厚依存性 von 原田, 紘希, 加藤, 慎也, 三好, 実人, 江川, 孝志

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Device characteristics and performance estimation of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors von Miyoshi, Makoto, Tsutsumi, Tatsuya, Nishino, Gosuke, Miyachi, Yuta, Okada, Mayuko, Freedsman, Joseph J., Egawa, Takashi

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ALD-Al2O3膜を堆積したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造におけるMIS界面準位の評価 von 斉藤, 早紀, 細見, 大樹, 古岡, 啓太, 久保, 俊晴, 江川, 孝志, 三好, 実人

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ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTにおける成膜後水素アニールの効果 von 久保, 俊晴, 三好, 実人, 江川, 孝志

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AlGaNチャネル2DEGヘテロ構造の結晶評価 ～ヘテロ界面平坦性とAlGaN初期成長条件との関係 von 細見, 大樹, 江川, 孝志, 三好, 実人

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MOCVD法によるp-down構造InGaN/GaN MQW太陽電池の作製 von 森, 拓磨, 原田, 紘希, 三好, 実人, 江川, 孝志

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MOCVD法によって成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における成長基板の影響 von 太田, 美希, 森, 拓磨, 三好, 実人, 江川, 孝志

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ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上 von 細見, 大樹, 宮地, 祐太, 三好, 実人, 江川, 孝志

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