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100-nm T-gate InAIAs/InGaAs InP-based HEMTs with fT= 249 GHz and fmax : 415 GHz
Veröffentlicht in 中国物理B:英文版
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双连续复合材料SiC/Fe-40Cr与SiC/Al2618合金干摩擦磨损行为的实验研究与数值分析(英文)
Veröffentlicht in 中国有色金属学报:英文版
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Modeling and analysis for the image mapping spectrometer
Veröffentlicht in Chinese physics B
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A full W-band low noise amplifier module for millimeter-wave applications
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Luminescence Properties of Sm^3+ doped Bi2ZnB2O7
Veröffentlicht in Journal of rare earths
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A Modeling Study of Climatic Change and Its Implication for Agriculture in C
Veröffentlicht in 大气科学进展:英文版
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