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    硝酸酸化薄膜を界面層に用いた20 nm積層型ゲート絶縁膜とサブミクロンのゲート長を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの特性

    硝酸酸化薄膜を界面層に用いた20 nm積層型ゲート絶縁膜とサブミクロンのゲート長を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの特性 von 松本, 健俊, 山田, 幹浩, 辻, 博史, モタハル, マズンデル, 寺川, 澄雄, 今井, 繁規, 小林, 光


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    硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創成と薄膜トランジスタの超低消費電力化

    硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創成と薄膜トランジスタの超低消費電力化 von 松本, 健俊, 山田, 幹浩, 辻, 博史, モタハル, マズンデル, 寺川, 澄雄, 今井, 繁規, 小林, 光


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