-
1
-
2
-
3
MOVPE法による(211)Si基板上の n-CdTe層の厚膜化との高電子密度化に関する検討 [Ⅱ]
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
4
MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [Ⅰ]
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
MOVPE法による(211)および(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
11
-
12
MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ~p-CdTe/n-CdTe/n+-Siダイオードにおける輸送特性の検討
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
13
-
14
-
15
MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(Ⅲ)~p+-Si基板上のCdTe層を用いた検出器の特性
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
16
-
17
-
18
MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜検出器アレイの暗電流特性(II)
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
19
MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(II) 〜検出器アレイの放射線検出特性の検討
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel -
20
MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(I) 検出器アレイの作製
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
VolltextArtikel