有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術 von 谷川, 智之, プラスラットスック, キャッティウット, 木村, 健司, 窪谷, 茂幸, 松岡, 隆志

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リセスMISゲートN極性GaN HEMTのしきい値電圧の制御 von プラスラットスック, キャッティウット, 谷川, 智之, 木村, 健司, 窪谷, 茂幸, 末光, 哲也, 松岡, 隆志

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N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減 von プラスラットスック, キャッティウット, 三浦, 輝紀, 田中, 真二, 谷川, 智之, 木村, 健司, 窪谷, 茂幸, 末光, 哲也, 松岡, 隆志

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加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価 von 岩渕, 拓也, 松村, 博史, 木村, 健司, 張, 源涛, プラスラットスック, キャッティウット, 劉, 玉懐, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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加圧型MOVPE成長InNの転位密度と相純度の成長圧力依存性 von 岩渕, 拓也, 平田, 雅貴, 木村, 健司, 劉, 玉懐, 張, 源涛, キャッティウット, プラスラットスック, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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加圧型MOVPE法によるInNの転位密度における相純度の影響 von 岩渕, 拓也, 劉, 玉懐, 木村, 健司, 張, 源涛, プラスラットスック, キャッティウット, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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加圧MOVPEにおけるInNの残留キャリア濃度の成長温度依存性 von キャッティウット, プラスラットスック, 平田, 雅貴, 劉, 玉懐, 木村, 健司, 張, 源涛, 岩渕, 拓也, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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