リセスMISゲートN極性GaN HEMTのしきい値電圧の制御 von プラスラットスック, キャッティウット, 谷川, 智之, 木村, 健司, 窪谷, 茂幸, 末光, 哲也, 松岡, 隆志

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N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減 von プラスラットスック, キャッティウット, 三浦, 輝紀, 田中, 真二, 谷川, 智之, 木村, 健司, 窪谷, 茂幸, 末光, 哲也, 松岡, 隆志

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加圧型MOVPE成長InN薄膜における準安定相混在のEBSDによる評価 von 岩渕, 拓也, 松村, 博史, 木村, 健司, 張, 源涛, プラスラットスック, キャッティウット, 劉, 玉懐, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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加圧MOVPEにおけるInNの残留キャリア濃度の成長温度依存性 von キャッティウット, プラスラットスック, 平田, 雅貴, 劉, 玉懐, 木村, 健司, 張, 源涛, 岩渕, 拓也, 片山, 竜二, 松岡, 隆志

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Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs von Prasertsuk, Kiattiwut, Tanikawa, Tomoyuki, Kimura, Takeshi, Kuboya, Shigeyuki, Suemitsu, Tetsuya, Matsuoka, Takashi

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