25aHG-2 MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 小塚, 裕介, 塚崎, 敦, マリエンコ, デニス, フォルソン, ジョセフ, 赤坂, 俊輔, 中原, 健, ベル, クリストファー, 疋田, 育之, ファン, ハロルド, 中村, 慎太郎, 淡路, 智, 上野, 和紀, 川崎, 雅司

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MgxZn1-xO/ZnOヘテロ構造における面内Mg分布の評価と制御 von 打田, 正輝, ジョセフ, フォルソン, 瀬川, 勇三郎, 小塚, 裕介, 塚﨑, 敦, 川﨑, 雅司

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MgxZn1-xO/ZnOヘテロ界面における二次元電子ガスの移動度制御 von ジョセフ, フォルソン, デニス, マリエンコ, 小塚, 裕介, 塚崎, 敦, 川崎, 雅司

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オゾンを用いた分子線エピタキシー法による高移動度ZnO/MgZnOヘテロ界面の作製 von 小塚, 裕介, ジョセフ, フォルソン, 赤坂, 俊輔, 中原, 健, 塚崎, 敦, 川崎, 雅司

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