ナノワイヤ型不純物偏析ショットキー接合MOSFETにおけるワイヤ幅縮小効果 von 遠藤, 清, 橋本, 修一郎, 武井, 康平, ソン, セイ, 張, 旭, 徐, 泰宇, 麻田, 修平, 大場, 俊輔, 松川, 貴, 昌原, 明植, 渡邉, 孝信

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Ar+イオン照射によるSiナノワイヤのNi合金化反応の高精度制御 von 大場, 俊輔, 橋本, 修一郎, 武井, 康平, ソン, セイ, 張, 旭, 徐, 泰宇, 麻田, 修平, 臼田, 稔宏, 遠藤, 清, 富田, 基裕, 徳武, 寛紀, 今井, 亮佑, 小椋, 厚志, 松川, 貴, 昌原, 明植, 渡邉, 孝信

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Niシリサイド化速度のSi結晶構造依存性 -分子動力学法による解析 von 橋本, 修一郎, 小杉山, 洋希, セイ, ソン, 武井, 康平, 木谷, 哲, 図師, 知文, 渡邉, 孝信

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ナノワイヤ型ショットキー障壁トンネルFETの動作解析 von 徐, 泰宇, 小杉山, 洋希, 橋本, 修一郎, 武井, 康平, ソン, セイ, 麻田, 修平, 張, 旭, 若水, 昂, 松川, 貴, 昌原, 明植, 渡邉, 孝信

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ナノワイヤ型ショットキー障壁トンネルFETのON電流密度増大 von 麻田, 修平, 小杉山, 洋希, 橋本, 修一郎, 武井, 康平, ソン, セイ, 張, 旭, 徐, 泰宇, 若水, 昂, 松川, 貴, 昌原, 明植

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酸化膜被覆型Siナノワイヤのシリサイド化に伴う破裂現象 von 武井, 康平, 小杉山, 洋希, 橋本, 修一郎, セイ, ソン, 麻田, 修平, 徐, 泰宇, 若水, 昂, 松川, 貴, 昌原, 明植, 渡邉, 孝信

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SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響 von セイ, ソン, 橋本, 修一郎, 小杉山, 洋希, 武井, 康平, 麻田, 修平, 徐, 泰宇, 若水, 昂, 今井, 亮佑, 徳武, 寛紀, 松川, 貴, 富田, 基裕, 小椋, 厚志, 昌原, 明植, 渡邉, 孝信

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