β-Ga2O3エピタキシャル層の低ドナー濃度化によるMOSキャパシタの高耐圧化 von 脇本, 大樹, 佐々木, 公平, 宮本, 広信, ティユ, クァントゥ, 倉又, 朗人, 山腰, 茂伸

Volltext

ドリフト層の成長レートによる酸化ガリウムショットキーバリアダイオード電気特性の改善 von 林, 家弘, 桝谷, 聡士, 尾林, 賢郷, タンガラジャ, アムタ, ティユ, クァントゥ, 大塚, 文雄, 小石川, 結樹, 佐々木, 公平, 倉又, 朗人

Volltext

VB法β-Ga2O3基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの作製 von 林, 家弘, 干川, 圭吾, 鍛治倉, 惇, ティユ, クァントゥ, タンガラジャ, アムタ, 内田, 悠貴, 小石川, 結樹, 大塚, 文雄, 渡辺, 信也, 佐々木, 公平, 倉又, 朗人

Volltext

EFG 法と HVPE 法を用いた４インチ β-Ga2O3結晶のバルク育成とホモエピタキシャル成長 von 林, 家弘, ティユ, クァントゥ, リンガパルティ, ラヴィキラン, タンガラジャ, アムタ, 内田, 悠貴, 大塚, 文雄, 輿, 公祥, 渡辺, 信也, 佐々木, 公平, 倉又, 朗人

Volltext

注目講演】10-A超β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの動作実証 von 佐々木, 公平, 高塚, 章夫, 大塚, 文雄, ティユ, クァントゥ, リンガパルティ, ラビキラン, 脇本, 大樹, 山腰, 茂伸, 倉又, 朗人

Volltext

InN のMOVPE 成長におけるジメチルヒドラジンの熱分解とアダクト形成の質量分析 von クァントゥ, ティユ, 窪谷, 茂幸, 尾鍋, 研太郎

Volltext

MOVPE法によるInPN混晶薄膜の作製と物性 von 王, 彦哲, クァントゥ, ティユ, 窪谷, 茂幸, 尾鍋, 研太郎

Volltext

ジメチルヒドラジンのMOVPE反応管内熱分解の質量分析 von クァントゥ, ティユ, 王, 彦哲, 窪谷, 茂幸, 尾鍋, 研太郎

Volltext

InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長 von 王, 彦哲, クァントゥ, ティユ, 菊地, 健彦, 窪谷, 茂幸, 尾鍋, 研太郎

Volltext

MOVPE法による微傾斜Ge(001)基板上InGaAsN薄膜の光学特性 von 上杉, 謙次郎, 菊地, 健彦, クァントゥ, ティユ, 王, 彦哲, 窪谷, 茂幸, サノーピン, サクンタム, 尾鍋, 研太郎

Volltext

InP(001)基板上へのInPN薄膜のMOVPE成長 von 関, 裕紀, 王, 彦哲, クァントゥ, ティユ, 窪谷, 茂幸, サクンタム, サノーピン, 尾鍋, 研太郎

Volltext

Ge (001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長（2） von 菊地, 健彦, クァントゥ, ティユ, 加藤, 宏盟, 窪谷, 茂幸, サクンタム, サノーピン, 尾鍋, 研太郎

Volltext

ジメチルヒドラジンを窒素原料としたInNのMOVPE成長 (4) von クァントゥ, ティユ, 立川, 卓, 菊地, 健彦, 関, 裕紀, 窪谷, 茂幸, 尾鍋, 研太郎

Volltext

Ge (001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長 von 菊地, 健彦, クァントゥ, ティユ, 加藤, 宏盟, 窪谷, 茂幸, サクンタム, サノーピン, 尾鍋, 研太郎

Volltext