GaNへのMgイオン注入におけるリコイルN原子の影響 von ハーバート, 甲斐, 柴田, 和樹, アスバル, ジョエル, 葛原, 正明

Volltext

自立GaN基板上に作製したGaN-on-GaN HEMTの絶縁破壊電界評価 von 青合, 充樹, 山本, 暠勇, 徳田, 博邦, 岡田, 成仁, 只友, 一行, アスバル, ジョエル, 葛原, 正明

Volltext

MOS-HEMTの破壊電圧近傍におけるリーク電流評価 von 西谷, 高至, 神谷, 俊佑, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

AlGaN/GaN MOS HEMTの周波数特性評価 von 小澤, 渉至, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 八木下, 洋平, 川野, 陽一, 葛原, 正明

Volltext

ノーマリーオフAl2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTのAl2O3膜厚によるしきい値制御 von 河端, 晋作, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 山本, 暠勇, 葛原, 正明

Volltext

再成長AlGaNによるAl2O3/AlGaN/GaN構造の絶縁膜/半導体界面特性の向上 von 河端, 晋作, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 山本, 暠勇, 葛原, 正明

Volltext

AlGaN/GaN HEMT の高周波パワー特性と電流コラプスとの関係 von 小澤, 渉至, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 八木下, 洋平, 川野, 陽一, 葛原, 正明

Volltext

Al2O3 MOSゲートFP-HEMTのオン耐圧評価 von 西谷, 高至, 山口, 良太, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

ソース及びゲートFP構造をもつAlGaN/GaN MOS-HEMTの評価 von 山口, 良太, ジョエル, アスバル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

スパッタリング法によるSiN膜をゲート絶縁膜とするノーマリーオフAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性評価 von 蒲池, 渉, ジョエル, アスバル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

縦型トレンチGaN-MOSFETのヒステリシス評価 von 村田, 翔一, 笹田, 将貴, ジョエル, アスバル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

Al2O3 MOSゲートFP-HEMTのコラプス特性評価 von 西谷, 高至, 山口, 良太, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 葛原, 正明

Volltext

Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価 von 青合, 充樹, 鈴木, 孝介, アスバル, ジョエル, 徳田, 博邦, 岡田, 成仁, 只友, 一行, 葛原, 正明

Volltext

負のゲートバイアスストレスを印加した縦型トレンチGaN-MOSFET のしきい値電圧変動の評価 von 笹田, 將貴, 高島, 教史, 村田, 翔一, ジョエル, アスバル, 徳田, 博邦, 上野, 勝典, 江戸, 雅晴, 葛原, 正明

Volltext