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Current Mechanisms in Zinc Diffusion-Doped Silicon Samples at T = 300 K
von
Е.С. Арзікулов
,
М. Раджабова
,
Сюе Цуй
,
Лю Тенг
,
С.Н. Сраєв
,
Н. Маматкулов
,
Ш.Дж. Гувондіков
,
Василь О. Пеленович
,
Б. Янг
Veröffentlicht in
East European journal of physics
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