БЕСФОРМОВОЧНОЕ НЕФИЛАМЕНТАРНОЕ РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ W / WOX / HFO2 / RU von Королева, А.А., Козодаев, М.Г., Маркеев, А.М.

Volltext

ФОРМИРОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАНООБЛАСТЕЙ В ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ HFO2 ПУТЕМ ЛОКАЛЬНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ СФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ... von Чуприк, А.А., Киртаев, Р.В., Спиридонов, М.В., Маркеев, А.М., Негров, Д.В.

Volltext

ВЛИЯНИЕ ОБЪЕМНЫХ ДЕФЕКТОВ И ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ FEFET НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО HFO2-СЛОЯ... von Кондратюк, Е.В., Чуприк, А.А., Михеев, В.В., Черникова, А.Г., Козодаев, М.Г., Маркеев, А.М., Зенкевич, А.В., Негров, Д.В.

Volltext

МЕМРИСТОР НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОКСИДА ГАФНИЯ: ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДВУХ МЕХАНИЗМОВ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ОДНОМ УСТРОЙСТВЕ... von Михеев, В.В., Чуприк, А.А., Лебединский, Ю.Ю., Зарубин, С.С., Маркеев, А.М., Зенкевич, А.В., Негров, Д.В.

Volltext