РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НИТРИДА ГАЛЛИЯ... von Ерофеев, Е.В., Полынцев, Е.С.

Volltext

РАЗРАБОТКА СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ GAAS ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В СОВРЕМЕННЫХ ИНФОРМАЦИОННОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМАХ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ (5G)... von Ерофеев, Е.В., Шишкин, Д.А., Курикалов, В.В., Когай, А.В., Федин, И.В.

Volltext

Моделирование плазмохимического травления:а) схема модели; b) порядок проведения расчета von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Профиль травления отверстий в подложке GaAs при оптимальных параметрах процесса травления von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Двумерная тепловая карта распределения разброса концентрации ионов от центра к краю пластины от давления и мощности ICP источника... von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Двумерная тепловая карта распределения максимальной плотности ионов в плазме от мощности и давления газовой смеси... von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Зависимость максимальной плотности ионов в плазме от давления газовой смеси при различной мощности ICP источника... von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Значения параметров полученных профилей от мощности RF-смещения von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext

Результирующие профили травления в слое GaAs при различной мощности RF-смещения:а) PRF = 30 Вт; b) PRF = 45 Вт; c) PRF = 60 Вт... von Шестерикова, Дарья, Шестериков, Александр, Ерофеев, Евгений

Volltext