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    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K von Heime, Axel

    Veröffentlicht 1977
    Abschlussarbeit Buch

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    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschichte auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschichte auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K von Heime, Axel

    Veröffentlicht 1977
    Buch

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    Bauelementkorrelierte Substratoptimierung in der III-V-Technologie

    Bauelementkorrelierte Substratoptimierung in der III-V-Technologie von Matthes, Harald, Colquhoun, Alexander, Heime, Axel

    Veröffentlicht 1986
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    Bauelementkorrelierte Substratoptimierung in der III-V-Technologie

    Bauelementkorrelierte Substratoptimierung in der III-V-Technologie von Matthes, Harald, Colquhoun, Alexander, Heime, Axel

    Veröffentlicht 1986
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    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

    Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K von Heime, Axel

    Veröffentlicht 1977
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