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    Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP InGaAs für die Integration optischer Empfänger

    Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP InGaAs für die Integration optischer Empfänger von Goldhorn, Andreas 1964-

    Veröffentlicht 1996
    Buch

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