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    Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain

    Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain von Rühl, Maximilian, Lehmeyer, Johannes, Nagy, Roland, Weisser, Matthias, Bockstedte, Michel, Krieger, Michael, Weber, Heiko B.

    Veröffentlicht 2021
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    Diffusion der Gallium-Leerstelle in Gallium-Arsenid

    Diffusion der Gallium-Leerstelle in Gallium-Arsenid von Bockstedte, Michel 1966-

    Veröffentlicht 1999
    Abschlussarbeit Buch

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